Name: IPT019N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT019N08N5ATMA1TR-ND
Price: 4.908 EUR
Availability: OutOfStock

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IPT019N08N5ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPT019N08N5ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPT019N08N5ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPT019N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPT019N08N5ATMA1
Description	MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 32A (Ta), 247A (Tc) 231W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPT019N08N5ATMA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 5
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	32A (Ta), 247A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,9mohms à 150A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,8V à 159µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	127 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	9200 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	231W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HSOF-8-1
Boîtier	8-PowerSFN
Numéro de produit de base	IPT019

Prix unitaire sans TVA:	4,09000 €
Prix unitaire avec TVA:	4,90800 €

IPT019N08N5ATMA1