Name: IPT039N15N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND
Price: 5.232 EUR
Availability: OutOfStock

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IPT039N15N5ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPT039N15N5ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPT039N15N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPT039N15N5ATMA1
Description	OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3,8W (Ta), 319W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPT039N15N5ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	150 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	21A (Ta), 190A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	8V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,9mohms à 50 A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,6V à 257µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7700 pF @ 75 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,8W (Ta), 319W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HSOF-8
Boîtier	8-PowerSFN