Name: IPW60R041C6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW60R041C6FKSA1-ND
Price: 13.788 EUR
Availability: OutOfStock

Besoin d'aide?

Commentaires

À propos de DigiKey Marketplace Vendre sur DigiKey.com Emploi Plan du site Solutions numériques Salle de presse

Aide et support Statut de la commande Options/frais d'expédition Retours et problèmes de commande

Chat (+33) 4 43 83 80 90 france.support@digikey.com Co-Browse

IPW60R041C6FKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPW60R041C6FKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPW60R041C6FKSA1
Description	MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 77,5 A (Tc) 481W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPW60R041C6FKSA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	77,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	41mohms à 44,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 2,96mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	290 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	6530 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	481W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO247-3-1
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	IPW60R041

Prix unitaire sans TVA:	11,49000 €
Prix unitaire avec TVA:	13,78800 €

IPW60R041C6FKSA1