Name: IPW65R080CFDAFKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW65R080CFDAFKSA1-ND
Price: 8.052 EUR
Availability: OutOfStock

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IPW65R080CFDAFKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPW65R080CFDAFKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPW65R080CFDAFKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 43,3 A (Tc) 391W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3
Fiche technique	Fiche technique

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	43,3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	80mohms à 17,6 A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 1,76mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	161 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4440 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	391W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO247-3
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	IPW65R080

Prix unitaire sans TVA:	6,71000 €
Prix unitaire avec TVA:	8,05200 €

IPW65R080CFDAFKSA1