Name: IPW65R099C6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW65R099C6FKSA1-ND
Price: 7.488 EUR
Availability: OutOfStock

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IPW65R099C6FKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPW65R099C6FKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPW65R099C6FKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 38 A (Tc) 278W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1
Fiche technique	Fiche technique

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	38 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	99mohms à 12,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 1,2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	127 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2780 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	278W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO247-3-1
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	IPW65R099

Prix unitaire sans TVA:	6,24000 €
Prix unitaire avec TVA:	7,48800 €

IPW65R099C6FKSA1