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IRF7307PBF

Numéro de produit DigiKey
IRF7307PBF-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IRF7307PBF
Description
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 20V 5,2 A, 4,3 A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
HEXFET®
Conditionnement
Tube
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
Canaux N et P
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
5,2 A, 4,3 A
Rds On (max.) à Id, Vgs
50mohms à 2,6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
700mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
20nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
660pF à 15V
Puissance - Max.
2W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SO
Numéro de produit de base
IRF73
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