Name: IRF7341TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND
Price: 1.464 EUR
Availability: OutOfStock

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IRF7341TRPBFXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IRF7341TRPBFXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF7341TRPBFXTMA1
Description	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 55V 4,7 A (Tc) 2W (Tc) Montage en surface PG-DSO-8-902
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF7341TRPBFXTMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	55V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,7 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	50mohms à 4,7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	36nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	740pF à 25V
Puissance - Max.	2W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	PG-DSO-8-902