IRF7457PBF Infineon | Transistors - FET, MOSFET - Simples

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRF7457PBF
Numéro de produit DigiKey	IRF7457PBF-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF7457PBF
Description	MOSFET N-CH 20V 15A 8SO
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 15 A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Tube
Statut du composant	En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	15 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	7mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	42 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3100 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SO
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)

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