IRF7821TRPBFXTMA1 Infineon | Transistors - FET, MOSFET - Simples

IRF7821TRPBFXTMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

Infineon Technologies

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Prix unitaire : 1,14000 €

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IRF7821TRPBFXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IRF7821TRPBFXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IRF7821TRPBFXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IRF7821TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF7821TRPBFXTMA1
Description	TRENCH <= 40V
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 13,6 A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface PG-DSO-8-902
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	13,6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	9,1mohms à 13A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	14 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1010 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-DSO-8-902
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)