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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IRF8313PBF | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IRF8313PBF-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IRF8313PBF |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 9,7A 2W Montage en surface 8-SO |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Infineon Technologies | |
Série | - | |
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | En fin de cycle chez Digi-Key | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 9,7A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 15,5mohms à 9,7A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,35V à 25µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 90nC à 4,5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 760pF à 15V | |
Puissance - Max. | 2W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SO | |
Numéro de produit de base |
0 en stock
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2 Articles
France