IRF8910TRPBFXTMA1 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

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IRF8910TRPBFXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IRF8910TRPBFXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IRF8910TRPBFXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IRF8910TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF8910TRPBFXTMA1
Description	MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 10 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface PG-DSO-8-902
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Ta)
Rds On (max.) à Id, Vgs	13,4mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,55V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	11nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	960pF à 10V
Puissance - Max.	2W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	PG-DSO-8-902