Name: IRF9358TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF9358TRPBFTR-ND
Price: 1.344 EUR
Availability: OutOfStock

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IRF9358TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF9358TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRF9358TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF9358TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF9358TRPBF
Description	MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 9,2A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF9358TRPBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux P (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9,2A
Rds On (max.) à Id, Vgs	16,3mohms à 9,2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,4V à 25µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	38nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1740pF à 25V
Puissance - Max.	2W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SO
Numéro de produit de base	IRF9358