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IRF9362PBF

Numéro de produit DigiKey
IRF9362PBF-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IRF9362PBF
Description
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 8A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRF9362PBF Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
HEXFET®
Conditionnement
Tube
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux P (double)
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
8A
Rds On (max.) à Id, Vgs
21mohms à 8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,4V à 25µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
39nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1300pF à 25V
Puissance - Max.
2W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SO
Numéro de produit de base
IRF9362
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