
IRF9389PBF | |
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Numéro de produit DigiKey | IRF9389PBF-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IRF9389PBF |
Description | MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 6,8 A, 4,6 A 2W Montage en surface 8-SO |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IRF9389PBF Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Infineon Technologies | |
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | En fin de cycle chez Digi-Key | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | Canaux N et P | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 6,8 A, 4,6 A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 27mohms à 6,8A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,3V à 10µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 14nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 398pF à 15V | |
Puissance - Max. | 2W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SO | |
Numéro de produit de base |