IRF9520NPBF Infineon | Transistors - FET, MOSFET - Simples

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IRF9520NPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF9520NPBF-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF9520NPBF
Description	MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 6,8 A (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF9520NPBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,8 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	480mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	27 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	350 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220AB
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IRF9520