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Équivalent paramétrique

IRFB3006PBF
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 2,14000 €
Fiche technique

Équivalent paramétrique

IRFB3006PBFXKMA1
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 1,29221 €
Fiche technique

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TO-220-3
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IRFB3006GPBF

Numéro de produit DigiKey
IRFB3006GPBF-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IRFB3006GPBF
Description
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 195 A (Tc) 375W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
HEXFET®
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
195 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
2,5mohms à 170A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
8970 pF @ 50 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
375W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220AB
Boîtier
TO-220-3
Numéro de produit de base
IRFB3006
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1 0001,44706 €1 447,06 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:1,44706 €
Prix unitaire avec TVA:1,73647 €