Name: IRFB3307PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFB3307PBF-ND
Price: 2.46 EUR
Availability: OutOfStock

Besoin d'aide?

Commentaires

À propos de DigiKey Marketplace Vendre sur DigiKey.com Emploi Plan du site Solutions numériques Salle de presse

Aide et support Statut de la commande Options/frais d'expédition Retours et problèmes de commande

Chat (+33) 4 43 83 80 90 france.support@digikey.com Co-Browse

IRFB3307PBF
Numéro de produit DigiKey	448-IRFB3307PBF-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFB3307PBF
Description	MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	13 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 75 V 130 A (Tc) 200W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFB3307PBF Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	75 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	130 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6,3mohms à 75A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 150µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5150 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	200W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220AB
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IRFB3307

Prix unitaire sans TVA:	2,05000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,46000 €

IRFB3307PBF