8-Power TDFN
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IRFH4210DTRPBF

Numéro de produit DigiKey
IRFH4210DTRPBFTR-ND - Bande et bobine
IRFH4210DTRPBFCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IRFH4210DTRPBF
Description
MOSFET N-CH 25V 44A PQFN
Référence client
Description détaillée
Canal N 25 V 44 A (Ta) 3,5W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface PQFN (5x6)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
HEXFET®
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
25 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
44 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,1mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,1V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4812 pF @ 13 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3,5W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PQFN (5x6)
Boîtier
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
IRFH4210
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Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
12,13000 €2,13 €
Prix unitaire sans TVA:2,13000 €
Prix unitaire avec TVA:2,55600 €