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TO-252AA (DPAK)
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IRFR120NPBF

Numéro de produit DigiKey
IRFR120NPBF-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IRFR120NPBF
Description
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 9,4 A (Tc) 48W (Tc) Montage en surface
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
HEXFET®
Conditionnement
Tube
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
9,4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
210mohms à 5,6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
330 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
48W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-252AA (DPAK)
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
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