Name: IRFR3411TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFR3411TRPBFTR-ND
Price: 1.404 EUR
Availability: OutOfStock

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IRFR3411TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRFR3411TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRFR3411TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRFR3411TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFR3411TRPBF
Description	MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 32 A (Tc) 130W (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFR3411TRPBF Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	32 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	44mohms à 16A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	71 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1960 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	130W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA (DPAK)
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	IRFR3411

Quantité	Prix unitaire	Prix total
2 000	0,47327 €	946,54 €
4 000	0,43453 €	1 738,12 €

Prix unitaire sans TVA:	1,17000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,40400 €

IRFR3411TRPBF