IRFR3910TRLPBF est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

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Prix unitaire : 1,07000 €

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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRFR3910TRLPBF
Numéro de produit DigiKey	IRFR3910TRLPBFTR-ND - Bande et bobine IRFR3910TRLPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRFR3910TRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFR3910TRLPBF
Description	MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 16 A (Tc) 79W (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	16 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	115mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	640 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	79W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA (DPAK)
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	IRFR3910