Name: IRFS4229TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFS4229TRLPBFTR-ND
Price: 4.068 EUR
Availability: InStock

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IRFS4229TRLPBF
Numéro de produit DigiKey	IRFS4229TRLPBFTR-ND - Bande et bobine IRFS4229TRLPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRFS4229TRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFS4229TRLPBF
Description	MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 250 V 45 A (Tc) 330W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFS4229TRLPBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	45 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	48mohms à 26A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4560 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	330W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-3
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IRFS4229