IRFS4310ZPBF est en rupture de stock et les commandes différées sont actuellement indisponibles.
Substituts disponibles:

Direct

FDB86135
onsemi
En stock: 0
Prix unitaire : 3,68000 €
Fiche technique

Similaire

AOB410L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 1,39170 €
Fiche technique

Similaire

IXTA160N10T
Littelfuse Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 2,16430 €

Similaire

IXTA160N10T7
Littelfuse Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 2,23903 €

Similaire

IXTA180N10T7
Littelfuse Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 2,39893 €
Fiche technique

Similaire

PSMN3R8-100BS,118
Nexperia USA Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 2,96000 €
Fiche technique

Similaire

PSMN7R0-100BS,118
Nexperia USA Inc.
En stock: 65
Prix unitaire : 2,38000 €
Fiche technique

Similaire

STB100N10F7
STMicroelectronics
En stock: 0
Prix unitaire : 3,05000 €
Fiche technique

Similaire

STB120NF10T4
STMicroelectronics
En stock: 161
Prix unitaire : 4,14000 €
Fiche technique

Similaire

STB80NF10T4
STMicroelectronics
En stock: 0
Prix unitaire : 3,17000 €
Fiche technique
Afficher et comparer tous les substituts
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRFS4310ZPBF

Numéro de produit DigiKey
IRFS4310ZPBF-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IRFS4310ZPBF
Description
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 120 A (Tc) 250W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
HEXFET®
Conditionnement
Tube
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
6mohms à 75A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 150µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
6860 pF @ 50 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
D2PAK
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 en stock
En raison d'un approvisionnement limité temporaire, nous ne pouvons pas accepter les commandes différées, et le délai d'approvisionnement n'est pas disponible. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.