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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IRL6372PBF | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IRL6372PBF-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IRL6372PBF |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 8,1A 2W Montage en surface 8-SO |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Infineon Technologies | |
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | En fin de cycle chez Digi-Key | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 8,1A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 17,9mohms à 8,1A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 1,1V à 10µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 11nC à 4,5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1020pF à 25V | |
Puissance - Max. | 2W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SO | |
Numéro de produit de base |
0 en stock
France