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IRLML6401GTRPBF est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Similaire
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IRLML6401GTRPBF | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IRLML6401GTRPBFTR-ND - Bande et bobine IRLML6401GTRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRLML6401GTRPBFDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IRLML6401GTRPBF |
Description | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 12 V 4,3 A (Ta) 1,3W (Ta) Montage en surface Micro3™/SOT-23 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IRLML6401GTRPBF Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 12 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 1,8V, 4,5V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 50mohms à 4,3A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 950mV à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 15 nC @ 5 V | |
Vgs (max.) | ±8V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 830 pF @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 1,3W (Ta) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | Micro3™/SOT-23 | |
Boîtier |
Obsolète
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France