Name: ISC230N10NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC230N10NM6ATMA1TR-ND
Price: 0.39418 EUR
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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ISC230N10NM6ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-ISC230N10NM6ATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	ISC230N10NM6ATMA1
Description	TRENCH >=100V PG-TDSON-9
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 7,7A (Ta), 31A (Tc) 3W (Ta), 48W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8 FL
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	ISC230N10NM6ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 6
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7,7A (Ta), 31A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	8V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	23mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,3V à 13µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	9.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	690 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta), 48W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TDSON-8 FL
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	ISC230N