Name: ISG0613N04NM6HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0613N04NM6HSCATMA1TR-ND
Price: 4.848 EUR
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

ISG0613N04NM6HSCATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-ISG0613N04NM6HSCATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-ISG0613N04NM6HSCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-ISG0613N04NM6HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	ISG0613N04NM6HSCATMA1
Description	MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 40V 42A (Ta), 299A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montage en surface PG-WHITFN-10-1
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 6
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	42A (Ta), 299A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,88mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,8V à 780µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	104nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	6200pF à 20V
Puissance - Max.	3W (Ta), 167W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	10-PowerWDFN
Boîtier fournisseur	PG-WHITFN-10-1