Name: SPD04P10PLGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD04P10PLGBTMA1TR-ND
Price: 1.296 EUR
Availability: OutOfStock

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SPD04P10PLGBTMA1
Numéro de produit DigiKey	SPD04P10PLGBTMA1TR-ND - Bande et bobine SPD04P10PLGBTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) SPD04P10PLGBTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	SPD04P10PLGBTMA1
Description	MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	10 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 4,2 A (Tc) 38W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	SIPMOS®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,2 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	850mohms à 3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 380µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	372 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	38W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO252-3
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	SPD04P10

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