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IXFN32N100Q3 est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IXFN32N100Q3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IXFN32N100Q3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXFN32N100Q3 |
Description | MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1000 V 28 A (Tc) 780W (Tc) Montage sur châssis SOT-227B |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 1000 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 320mohms à 16A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 6,5V à 8mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 195 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±30V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 9940 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 780W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage sur châssis | |
Boîtier fournisseur | SOT-227B | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
0 en stock
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 52,68000 € | 52,68 € |
| 10 | 40,31600 € | 403,16 € |
| 100 | 39,34210 € | 3 934,21 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 52,68000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 63,21600 € |
À utiliser avec
1 Articles
France