
IXTA20N65X | |
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Numéro de produit DigiKey | IXTA20N65X-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXTA20N65X |
Description | MOSFET N-CH 650V 20A TO263 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 20 A (Tc) 320W (Tc) Montage en surface TO-263AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 650 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 210mohms à 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 5,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 35 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±30V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1390 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 320W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | TO-263AA | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |