IXTP3N110 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 1,79000 €
Fiche technique

Similaire


Littelfuse Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 5,95000 €
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 0
Prix unitaire : 2,28000 €
Fiche technique
TO-220-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IXTP3N110

Numéro de produit DigiKey
IXTP3N110-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IXTP3N110
Description
MOSFET N-CH 1100V 3A TO220AB
Référence client
Description détaillée
Canal N 1100 V 3 A (Tc) 150W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
1100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
4ohms à 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1350 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220-3
Boîtier
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.
Non annulable/Non remboursable