TO-263AB
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IXTA2N100P

Numéro de produit DigiKey
IXTA2N100P-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IXTA2N100P
Description
MOSFET N-CH 1000V 2A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
50 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1000 V 2 A (Tc) 86W (Tc) Montage en surface TO-263AA
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
1000 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
7,5ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
24.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
655 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
86W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263AA
Boîtier
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

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Disponible sur commande
Stock usine : 1 200
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Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
3001,52303 €456,91 €
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:1,52303 €
Prix unitaire avec TVA:1,82764 €