Name: VP0109N3-G
Brand: Microchip Technology
SKU: VP0109N3-G-ND
Price: 1.2 EUR
Availability: OutOfStock

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VP0109N3-G
Numéro de produit DigiKey	VP0109N3-G-ND
Fabricant	Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant	VP0109N3-G
Description	MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	4 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 90 V 250mA (Tj) 1W (Tc) Trou traversant TO-92-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	VP0109N3-G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Microchip Technology
Série	-
Conditionnement	Sac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	90 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	250mA (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	8ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 1mA
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	60 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-92-3
Boîtier	TO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)
Numéro de produit de base	VP0109