Name: GAN080-650EBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN080-650EBEZTR-ND
Price: 6.96 EUR
Availability: OutOfStock

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GAN080-650EBEZ
Numéro de produit DigiKey	1727-GAN080-650EBEZTR-ND - Bande et bobine 1727-GAN080-650EBEZCT-ND - Bande coupée (CT) 1727-GAN080-650EBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	GAN080-650EBEZ
Description	650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	4 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 29 A (Tc) 240W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles DFN8080-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	29 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V
Rds On (max.) à Id, Vgs	80mohms à 8A, 6V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 30,7mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6.2 nC @ 6 V
Vgs (max.)	+7V, -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	225 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	240W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface, joints de brasure visibles
Boîtier fournisseur	DFN8080-8
Boîtier	8-VDFN plot exposé
Numéro de produit de base	GAN080