PSMN1R5-40YSD/2X Nexperia USA Inc | Transistors - FET, MOSFET - Simples

PSMN1R5-40YSD/2X est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

Nexperia USA Inc.

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Prix unitaire : 1,42000 €

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PSMN1R5-40YSD/2X
Numéro de produit DigiKey	1727-PSMN1R5-40YSD/2XTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PSMN1R5-40YSD/2X
Description	PSMN1R5-40YSD/SOT669/LFPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 240 A (Tc) 238W (Tc) Montage en surface LFPAK56, Power-SO8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	240 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,5mohms à 25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,6V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	99 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7752 pF @ 20 V
Fonction FET	Diode Schottky (substrat)
Dissipation de puissance (max.)	238W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	LFPAK56, Power-SO8
Boîtier	SC-100, SOT-669