Name: PSMN2R3-100SSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND
Price: 6.936 EUR
Availability: OutOfStock

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PSMN2R3-100SSEJ
Numéro de produit DigiKey	1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND - Bande et bobine 1727-PSMN2R3-100SSEJCT-ND - Bande coupée (CT) 1727-PSMN2R3-100SSEJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PSMN2R3-100SSEJ
Description	APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 255A (Tc) 341W (Tc) Montage en surface LFPAK88 (SOT1235)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	PSMN2R3-100SSEJ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	255A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,2mohms à 25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	17200 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	341W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	LFPAK88 (SOT1235)
Boîtier	SOT-1235
Numéro de produit de base	PSMN2R3