Name: PSMN3R2-40YLDX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN3R2-40YLDXTR-ND
Price: 0.984 EUR
Availability: OutOfStock

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PSMN3R2-40YLDX
Numéro de produit DigiKey	1727-PSMN3R2-40YLDXTR-ND - Bande et bobine 1727-PSMN3R2-40YLDXCT-ND - Bande coupée (CT) 1727-PSMN3R2-40YLDXDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PSMN3R2-40YLDX
Description	MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 120 A (Tc) 115W (Tc) Montage en surface LFPAK56, Power-SO8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Série	TrenchMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,3mohms à 25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,05V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	57 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4103 pF @ 20 V
Fonction FET	Diode Schottky (substrat)
Dissipation de puissance (max.)	115W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	LFPAK56, Power-SO8
Boîtier	SC-100, SOT-669
Numéro de produit de base	PSMN3R2