Name: AFGB40T65SQDN
Brand: onsemi
SKU: AFGB40T65SQDNOSTR-ND
Price: 6.396 EUR
Availability: OutOfStock

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AFGB40T65SQDN
Numéro de produit DigiKey	AFGB40T65SQDNOSTR-ND - Bande et bobine AFGB40T65SQDNOSCT-ND - Bande coupée (CT) AFGB40T65SQDNOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	AFGB40T65SQDN
Description	IGBT 650V 80A TO-263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	13 semaines
Référence client
Description détaillée	IGBT 650 V 80 A 238 W Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	AFGB40T65SQDN Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT IGBT simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type d'IGBT	-
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	650 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	80 A
Courant - Impulsion collecteur (Icm)	160 A
Vce(on) (max.) à Vge, Ic	2,1V à 15V, 40A
Puissance - Max.	238 W
Énergie de commutation	858µJ (marche), 229µJ (arrêt)
Type d'entrée	Standard
Charge de grille	76 nC
Td (on/off) à 25°C	17,6ns/75,2ns
Condition de test	400V, 40A, 6ohms, 15V
Temps de recouvrement inverse (trr)	131 ns
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Numéro de produit de base	AFGB40