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CAV24C512WE-GT3
Numéro de produit DigiKey	CAV24C512WE-GT3OSTR-ND - Bande et bobine CAV24C512WE-GT3OSCT-ND - Bande coupée (CT) CAV24C512WE-GT3OSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	CAV24C512WE-GT3
Description	IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	EEPROM Mémoire IC 512Kb I2C 1 MHz 900 ns 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	CAV24C512WE-GT3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Circuits intégrés Mémoire Mémoire
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Programmable DigiKey	Non vérifié
Type de mémoire	Non volatile
Format mémoire	EEPROM
Technologies	EEPROM
Taille mémoire	512Kb
Organisation de la mémoire	64K x 8
Interface mémoire	I2C
Fréquence d'horloge	1 MHz
Temps de cycle d'écriture - Mot, page	5ms
Temps d'accès	900 ns
Tension - Alimentation	2,5V ~ 5,5V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 125°C (TA)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q100
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	CAV24C512

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