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Substituts disponibles:

Direct

FCP190N65S3R0
onsemi
En stock: 0
Prix unitaire : 1,94000 €
Fiche technique

Direct

TK16E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 0
Prix unitaire : 3,10000 €
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Fiche technique
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TO-220-3
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FCP190N65S3

Numéro de produit DigiKey
FCP190N65S3-ND
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
FCP190N65S3
Description
MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
18 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 17 A (Tc) 144W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
FCP190N65S3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
SuperFET® III
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
17 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
190mohms à 8,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 1,7mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1350 pF @ 400 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
144W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220-3
Boîtier
TO-220-3
Numéro de produit de base
FCP190
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Disponible sur commande
Stock usine : 6 400
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Non annulable/Non remboursable
Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
12,13000 €2,13 €
501,41120 €70,56 €
1001,38480 €138,48 €
5001,38178 €690,89 €
1 0001,35845 €1 358,45 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:2,13000 €
Prix unitaire avec TVA:2,55600 €