FCP4N60 On Semi | Transistors - FET, MOSFET - Simples

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FCP4N60
Numéro de produit DigiKey	FCP4N60-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FCP4N60
Description	MOSFET N-CH 600V 3.9A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 3,9 A (Tc) 50W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	SuperFET™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,2ohms à 2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	16.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	540 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	50W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	FCP4

Product Questions and Answers

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	3,07000 €	3,07 €
50	1,52620 €	76,31 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.