Name: FDB024N08BL7
Brand: onsemi
SKU: FDB024N08BL7TR-ND
Price: 6.54 EUR
Availability: InStock

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FDB024N08BL7
Numéro de produit DigiKey	FDB024N08BL7TR-ND - Bande et bobine FDB024N08BL7CT-ND - Bande coupée (CT) FDB024N08BL7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDB024N08BL7
Description	MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	56 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 120 A (Tc) 246W (Tc) Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,4mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	178 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	13530 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	246W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263-7
Boîtier	TO-263-7, D2PAK (6 sorties + languette)
Numéro de produit de base	FDB024