FDB12N50FTM-WS On Semi | Transistors - FET, MOSFET - Simples

FDB12N50FTM-WS est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Recommandation fabricant

onsemi

En stock: 800

Prix unitaire : 3,27000 €

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FDB12N50FTM-WS
Numéro de produit DigiKey	FDB12N50FTM-WSTR-ND - Bande et bobine FDB12N50FTM-WSCT-ND - Bande coupée (CT) FDB12N50FTM-WSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDB12N50FTM-WS
Description	MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 500 V 11,5 A (Tc) 165W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDB12N50FTM-WS Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	UniFET™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	700mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1395 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	165W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	FDB12N50