FDB8441 On Semi | Transistors - FET, MOSFET - Simples

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FDB8441
Numéro de produit DigiKey	FDB8441TR-ND - Bande et bobine FDB8441CT-ND - Bande coupée (CT) FDB8441DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDB8441
Description	MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 28 A (Ta), 120 A (Tc) 300W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	28 A (Ta), 120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,5mohms à 80A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	280 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	15000 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	FDB844

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Quantité

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Bande coupée (CT)