Name: FDD86102
Brand: onsemi
SKU: FDD86102TR-ND
Price: 2.052 EUR
Availability: OutOfStock

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FDD86102
Numéro de produit DigiKey	FDD86102TR-ND - Bande et bobine FDD86102CT-ND - Bande coupée (CT) FDD86102DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD86102
Description	MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	14 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 8 A (Ta), 36 A (Tc) 3,1W (Ta), 62W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8 A (Ta), 36 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	24mohms à 8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1035 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,1W (Ta), 62W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	FDD861

Quantité	Prix unitaire	Prix total
2 500	0,61705 €	1 542,62 €
5 000	0,60301 €	3 015,05 €

Prix unitaire sans TVA:	1,71000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,05200 €

FDD86102