Name: FDD86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDD86102LZFSTR-ND
Price: 1.644 EUR
Availability: OutOfStock

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FDD86102LZ
Numéro de produit DigiKey	FDD86102LZFSTR-ND - Bande et bobine FDD86102LZFSCT-ND - Bande coupée (CT) FDD86102LZFSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD86102LZ
Description	MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 8 A (Ta), 35 A (Tc) 3,1W (Ta), 54W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDD86102LZ Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8 A (Ta), 35 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	22,5mohms à 8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1540 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,1W (Ta), 54W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	FDD86102

Quantité	Prix unitaire	Prix total
2 500	0,54308 €	1 357,70 €
5 000	0,51324 €	2 566,20 €

Prix unitaire sans TVA:	1,37000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,64400 €

FDD86102LZ