Name: FDD86367
Brand: onsemi
SKU: FDD86367OSTR-ND
Price: 2.628 EUR
Availability: OutOfStock

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onsemi

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FDD86367
Numéro de produit DigiKey	FDD86367OSTR-ND - Bande et bobine FDD86367OSCT-ND - Bande coupée (CT) FDD86367OSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD86367
Description	MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	50 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 100 A (Tc) 227W (Tj) Montage en surface TO-252 (DPAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDD86367 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,2mohms à 80A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	88 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4840 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	227W (Tj)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252 (DPAK)
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	FDD863