Name: FDMC2610
Brand: onsemi
SKU: FDMC2610TR-ND
Price: 2.832 EUR
Availability: OutOfStock

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FDMC2610
Numéro de produit DigiKey	FDMC2610TR-ND - Bande et bobine FDMC2610CT-ND - Bande coupée (CT) FDMC2610DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMC2610
Description	MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 2,2 A (Ta), 9,5 A (Tc) 2,1W (Ta), 42W (Tc) Montage en surface 8-MLP (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	UniFET™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,2 A (Ta), 9,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	200mohms à 2,2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	960 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,1W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-MLP (3,3x3,3)
Boîtier	8-PowerWDFN
Numéro de produit de base	FDMC26