Name: FDMC3612
Brand: onsemi
SKU: FDMC3612TR-ND
Price: 1.008 EUR
Availability: OutOfStock

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FDMC3612
Numéro de produit DigiKey	FDMC3612TR-ND - Bande et bobine FDMC3612CT-ND - Bande coupée (CT) FDMC3612DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMC3612
Description	MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 3,3 A (Ta), 16 A (Tc) 2,3W (Ta), 35W (Tc) Montage en surface 8-MLP (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDMC3612 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,3 A (Ta), 16 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	110mohms à 3,3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	880 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,3W (Ta), 35W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-MLP (3,3x3,3)
Boîtier	8-PowerWDFN
Numéro de produit de base	FDMC36