FDMC6686P On Semi | Transistors - FET, MOSFET - Simples

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FDMC6686P
Numéro de produit DigiKey	FDMC6686PTR-ND - Bande et bobine FDMC6686PCT-ND - Bande coupée (CT) FDMC6686PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMC6686P
Description	MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 18 A (Ta), 56 A (Tc) 2,3W (Ta), 40W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (3,3x3,3), Power33
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	18 A (Ta), 56 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4mohms à 18A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	122 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	13200 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,3W (Ta), 40W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-PQFN (3,3x3,3), Power33
Boîtier	8-PowerWDFN
Numéro de produit de base	FDMC6686